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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.85 | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 内存密度： | 64 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 16 words |
| 字数代码： | 16 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16X4 | 输出特性： | OPEN-COLLECTOR |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM74S289J/A+ | ETC |
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x4 SRAM |
|
| DM74S289J/B+ | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| DM74S289N | NSC |
获取价格 |
64-BIT (16 X 4 ) OPEN - COLLECTOR RAM TRI-STATE-R RAM |
|
| DM74S289N/A+ | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| DM74S289N/B+ | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| DM74S289V | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| DM74S299 | FAIRCHILD |
获取价格 |
3-STATE 8-Bit Universal Shift/Storage Register |
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| DM74S299J | TI |
获取价格 |
IC,SHIFT REGISTER,S-TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
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| DM74S299J/A+ | TI |
获取价格 |
IC,SHIFT REGISTER,S-TTL,DIP,20PIN,CERAMIC |
|
| DM74S299N | TI |
获取价格 |
S SERIES, 8-BIT BIDIRECTIONAL PARALLEL IN PARALLEL OUT SHIFT REGISTER, TRUE OUTPUT, PDIP20 |
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