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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.56 |
| 系列： | LS | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.18 mm |
| 逻辑集成电路类型： | XNOR GATE | 最大I（ol）： | 0.008 A |
| 功能数量： | 4 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 输出特性： | OPEN-COLLECTOR | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 13 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 23 ns | 传播延迟（tpd）： | 23 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SN74LS266NE4 | TI |
功能相似  |
QUADRUPLE 2-INPUT EXCLUSIVE-NOR GATES WITH OPEN-COLLECTOR OUTPUTS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM74LS266N/A+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input Exclusive NOR (XNOR) Gate |
|
| DM74LS266N/B+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input Exclusive NOR (XNOR) Gate |
|
| DM74LS26J | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM74LS26J/A+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM74LS26M | FAIRCHILD |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate with High Voltage Open-Collector Outputs |
|
| DM74LS26MX | FAIRCHILD |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM74LS26MX | NSC |
获取价格 |
IC LS SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-14, Gate |
|
| DM74LS26N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate with High Voltage Open-Collector Outputs |
|
| DM74LS26N/A+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM74LS26N/B+ | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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