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DM54LS670J/883

更新时间: 2024-11-29 21:22:03
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 824K
描述
Standard SRAM, 4X4, 45ns, TTL, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

DM54LS670J/883 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T16
JESD-609代码:e0长度:19.43 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:4 words
字数代码:4工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4X4封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

DM54LS670J/883 数据手册

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