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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.67 | 系列： | TTL/H/L |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NOR GATE | 最大I（ol）： | 0.002 A |
| 功能数量： | 4 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 2.6 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 60 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 60 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54L02J/883B | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,L-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54L02J/883C | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,L-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54L02W | NSC |
获取价格 |
Quad 2-Input NOR Gates |
|
| DM54L02W/883B | TI |
获取价格 |
TTL/H/L SERIES, QUAD 2-INPUT NOR GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
|
| DM54L02W/883C | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,L-TTL,FP,14PIN,CERAMIC |
|
| DM54L03J | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM54L03W | ETC |
获取价格 |
Quad 2-input NAND Gate |
|
| DM54L04 | NSC |
获取价格 |
Hex Inverting Gate |
|
| DM54L04J | NSC |
获取价格 |
Hex Inverting Gate |
|
| DM54L04J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Inverter, TTL/H/L Series, 6-Func, 1-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
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