是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.67 | 其他特性: | IOL = 30MA @ VOL = 0.7V; IOH = 250UA @ VOH = 15V |
系列: | TTL/H/L | JESD-30 代码: | R-CDIP-T14 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.43 mm |
负载电容(CL): | 15 pF | 逻辑集成电路类型: | BUFFER |
最大I(ol): | 0.03 A | 功能数量: | 6 |
输入次数: | 1 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出特性: | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
最大电源电流(ICC): | 30 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 30 ns |
传播延迟(tpd): | 30 ns | 认证状态: | Not Qualified |
施密特触发器: | NO | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM5417J/883B | NSC |
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IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC | |
DM5417J/883C | NSC |
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IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,STD-TTL,DIP,14PIN,CERAMIC | |
DM5417W | NSC |
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Hex Buffers with High Voltage Open-Collector Outputs | |
DM5417W | FAIRCHILD |
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Buffer, TTL/H/L Series, 6-Func, 1-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 | |
DM5417W/883 | NSC |
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IC TTL/H/L SERIES, HEX 1-INPUT NON-INVERT GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14, Gate | |
DM5417W/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Buffer, TTL/H/L Series, 6-Func, 1-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14 | |
DM5417W/883B | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,STD-TTL,FP,14PIN,CERAMIC | |
DM5417W/883C | NSC |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,STD-TTL,FP,14PIN,CERAMIC | |
DM54180 | NSC |
获取价格 |
9-Bit Parity Generators/Checkers | |
DM54180J | ETC |
获取价格 |
Parity Generator/Checker |