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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 系列： | TTL/H/L | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.43 mm |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.016 A |
| 功能数量： | 3 | 输入次数： | 3 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 16.5 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 15 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM5410J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate, TTL/H/L Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
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| DM5410J/883B | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
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| DM5410J/883C | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
|
| DM5410W | NSC |
获取价格 |
Triple 3-Input NAND Gates |
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| DM5410W/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate, TTL/H/L Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14 |
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| DM5410W/883B | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
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| DM5410W/883C | ETC |
获取价格 |
Triple 3-input NAND Gate |
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| DM5411J | ROCHESTER |
获取价格 |
AND Gate, 54 Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, DIP-14 |
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| DM5411J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
AND Gate, 54 Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, DIP-14 |
|
| DM54121 | ETC |
获取价格 |
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