Datasheet > DM-HPS-800-102

DM-HPS-800-102

更新时间： 2024-11-06 21:05:07

品牌	Logo	应用领域
玛居礼 - MERCURY		高功率电源射频微波
页数	文件大小	规格书
1页	721K
描述
Narrow Band High Power Amplifier,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DM-HPS-800-102 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
Base Number Matches：	1

DM-HPS-800-102 数据手册

High-Power Pulsed Ampliﬁer

DM-HPS-800-102

Speciﬁcations are subject to change without notice

Electrical Speciﬁcations (+25°C)

Parameter

Value

Freq GHz

2.9-3.1

58.5

800

Psat (dBm) min

Psat (W)

Gain (dB) min

Voltage (V)

PAE typ.

40%

Need More Help? Need a Variant of This Product?

Contact Mercury’s RF & Microwave engineering team at rf.microwave@mrcy.com or visit www.mrcy.com/rf for a detailed listing of RF and Microwave products.

Corporate Headquarters • 50 Minuteman Road • Andover, MA 01810 USA • (978) 967-1401 • (866) 627-6951 • Fax (978) 256-3599 • www.mrcy.com

6660.00E-0718-SS-DM-HPS-800-102-amp

中文翻译

下载PDF

与DM-HPS-800-102相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DM-HPSC-150-101	MERCURY	获取价格	Wide Band High Power Amplifier,
DM-HPX-250-102	MERCURY	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier,
DM-HPX-800-101	MERCURY	获取价格	Narrow Band High Power Amplifier,
DMHT10H032LFJ	DIODES	获取价格	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMHT3006LFJ	DIODES	获取价格	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
DMHT6016LFJ	DIODES	获取价格	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
DMHT6016LFJ-13	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
DMH-X2-C-F-G-R	ADAM-TECH	获取价格	Gold
DMH-X2-C-F-MT-R	ADAM-TECH	获取价格	Matte Tin
DMH-X2-C-F-T-R	ADAM-TECH	获取价格	Tin