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DLTS-30

更新时间: 2024-11-03 22:29:39
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
DATA LINE TRANSIENT SUPPRESSOR

DLTS-30 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:R-CDIP-T16
针数:16Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.35最小击穿电压:33.3 V
击穿电压标称值:33 V最大钳位电压:65 V
配置:COMMON ANODE, 15 ELEMENTS最小二极管电容:220 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-CDIP-T16JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:15端子数量:16
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:2 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DLTS-30 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30V V(RWM), Unidirectional, 15 Element, Silicon, CER