DKV6522

更新时间： 2024-09-23 22:29:39

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ASI		二极管变容二极管
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描述
SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR DIODE

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DKV6522 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
最小击穿电压：	8 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	7.46%
标称二极管电容：	6.7 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码：	DO-7	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	100	最大重复峰值反向电压：	8 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
变容二极管分类：	HYPERABRUPT

DKV6522 数据手册

DKV6522

SILICON HYPERABRUPT TUNING VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

The ASI DKV6522 is an Ion

Implanted Silicon Hyperabrupt Tuning

Varactor Designed for Octave Tuning

up to 500 MHz.

PACKAGE STYLE DO-7

FEATURES INCLUDE:

• C_T4= 50 pF Nominal

• Hermetic Glass Package

MAXIMUM RATINGS

50 mA

8.0 V

250 mW @ T_C= 25 °C

-55 °C to +125 °C

-55 °C to +175 °C

P_DISS

T_J

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

V_B

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

8.0

I_R

V_R= 6.0 V

250

V_R= 2.5 V

V_R= 4.0 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

6.2

7.2

C_T

V_R= 4.0 V

100

Tsold

t = 5.0 SEC.

+230

^OC

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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