DKV6510-12

更新时间： 2024-09-23 21:54:23

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ASI		二极管变容二极管
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1页	19K
描述
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

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DKV6510-12 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.2
最小击穿电压：	12 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	25%
最小二极管电容比：	10	标称二极管电容：	60 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JEDEC-95代码：	DO-7
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	200
最大重复峰值反向电压：	12 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

DKV6510-12 数据手册

DKV6510-12

SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

The ASI DKV6510-12 is an Ion

Implanted Silicon Hyperabrupt Varactor

Diode Designed for Octave Tuning up

to 500 MHz.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE DO-7

· Large Tuning Ratio – 14:1 Typ.

· High Q – 700 Typ.

· Hermetic Glass DO-7 Package

MAXIMUM RATINGS

I_F

V_R

100 mA

12 V

P_DISS

T_J

400 mW @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +150 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM

UNITS

V_BR

I_R= 10 mA

I_R

V_R= 10 V

100

m A

C_T2

V_R= 2.0 V

V_R= 10 V

f = 1.0 MHz

C_T10

4.0

7.0

C_T2/ C_T10

V_R= 2 & 10 V

V_R= 2.0 V

f = 1.0 MHz

10.0

200

17.0

---

700

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-300

Specifications are subject to change without notice.

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