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DK2501FQ

更新时间: 2024-09-30 19:47:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 209K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),250A I(T),TO-209AB

DK2501FQ 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大漏电流:25 mA通态非重复峰值电流:5000 A
最大通态电流:250000 A最高工作温度:125 °C
断态重复峰值电压:100 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

DK2501FQ 数据手册

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