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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV70DW-7
BAV70DW-7 PDF预览

BAV70DW-7

更新时间： 2024-01-06 18:33:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY

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BAV70DW-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.79
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
配置：2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向电流：2.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：75 V
子类别：Signal Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAV70DW-7 数据手册

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BAV70DW  
QUAD SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY  
Features  
·
·
·
·
·
Fast Switching Speed  
SOT-363  
A
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
C
B
Two “BAV70” Circuits In One Package  
G
H
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
0.30  
1.80  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
J
M
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Case Material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Orientation: See Diagram  
Marking: KJA (see page 3)  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
G
H
J
L
D
F
·
·
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
A2  
K
L
A2  
C1  
·
·
·
M
a
C2  
A1  
A1  
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
75  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
53  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Output Current (Note 1)  
300  
150  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
2.0  
1.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IF = 2.5mA  
75  
¾
V
IF = 1.0mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.715  
0.855  
1.0  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
Reverse Current (Note 2)  
¾
¾
V
1.25  
V
V
R = 75V  
2.5  
50  
30  
25  
mA  
mA  
mA  
nA  
R = 75V, Tj = 150°C  
IR  
VR = 25V, Tj = 150°C  
VR = 20V  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
Total Capacitance  
¾
¾
2.0  
4.0  
pF  
ns  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30132 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
BAV70DW  
www.diodes.com  
123

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