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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002-7-F
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2N7002-7-F

更新时间： 2024-02-24 10:56:21
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美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002-7-F 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：3.71Samacsys Description：MULTICOMP - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.2 W最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2N7002-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: 2N7002  
2N7002  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
Low Gate Threshold Voltage  
SOT-23  
Low Input Capacitance  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
Fast Switching Speed  
D
Low Input/Output Leakage  
B
B
C
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
C
TOP VIEW  
G
S
D
D
G
E
E
H
Mechanical Data  
·
·
G
H
K
Case: SOT-23  
M
J
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
L
K
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Drain  
M
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
a
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: K72, K7A, K7B (See Page 2)  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
Gate  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
60  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
60  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
VGSS  
V
115  
73  
800  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Continuous @ 100°C  
Pulsed  
ID  
mA  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Derating above TA = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
417  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS11303 Rev. 19- 2  
1 of 4  
2N7002  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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