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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2DC4617Q-7-F
2DC4617Q-7-F PDF预览

2DC4617Q-7-F

更新时间： 2024-02-16 20:38:21
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 340K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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2DC4617Q-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：0.88Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

2DC4617Q-7-F 数据手册

 浏览型号2DC4617Q-7-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2DC4617Q-7-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: 2DC4617R  
2DC4617Q/R/S  
Lead-free  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
Ultra Miniature Surface Mount Package  
Complementary PNP Type Available (2DA1774Q,R,S)  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
SOT-523  
Dim Min Max Typ  
A
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
0.50  
Mechanical Data  
C
•
•
Case: SOT-523  
C
B
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
E
B
•
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See diagram  
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
G
H
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
N
M
Lead Free Plating (Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe).  
K
L
J
•
Marking (See Last Page): 2DC4617Q: 8D  
2DC4617R: 8E  
L
D
M
N
α
2DC4617S: 8F  
•
•
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
0°  
8°  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
V
7.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
150  
mA  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Pd  
Value  
150  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation (Note 1) @ TA = 25°C  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) @ TA = 25°C  
Operating and Storage and Temperature Range  
833  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC = 50µA, IE = 0  
IC = 1.0mA, IB = 0  
60  
50  
V
V
IE = 50µA, IC = 0  
VCB = 60V  
7.0  
V
100  
100  
nA  
nA  
VEB = 7.0V  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
DC Current Gain  
2DC4617Q  
2DC4617R  
2DC4617S  
120  
180  
270  
270  
390  
560  
VCE = 6.0V, IC = 1.0mA  
IC = 50mA, IB = 5.0mA  
hFE  
VCE(SAT)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
0.4  
V
VCB = 12V, f = 1.0MHz, IE = 0  
VCE = 12V, IE = -2mA, f = 1MHz  
Cobo  
fT  
2.0  
3.5  
pF  
Current Gain-Bandwidth Product  
180  
MHz  
Notes:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30252 Rev. 8 - 2  
1 of 3  
2DC4617Q/R/S  
www.diodes.com  
Diodes Incorporated  
123

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