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DI1010S

更新时间： 2024-01-27 17:54:22
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强茂 - PANJIT /
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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DI1010S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DI1010S 数据手册

 浏览型号DI1010S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DI1010S的Datasheet PDF文件第3页 
DATA SHEET  
DI100S~DI1010S  
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER  
Unit : inch (mm)  
SDIP  
50 to 1000 Volts  
VOLTAGE  
CURRENT 1.0 Amperes  
Recognized File #E111753  
FEATURES  
• Plastic material used carries Underwriters  
.009(0.25)  
.335(8.51)  
.316(8.05)  
Laboratory recognition 94V-O  
• Low leakage  
• Surge overload rating-- 30 amperes peak  
• Ideal for printed circuit board  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
.045(1.14)  
.035(0.89)  
MECHANICALDATA  
Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique results in  
inexpensive product  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Polarity symbols molded or marking on body  
Mounting Position: Any  
.205(5.2)  
.195(5.0)  
Weight: 0.02 ounce, 300mg  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PARAMETER  
SYMBOL DI100S DI101S DI102S DI104S DI106S DI108S DI1010S UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
1000  
V
Maximum Average Forward Current T  
A
=40OC  
I
AV  
A
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
30  
A
I2t Rating for fusing ( t<8.35ms)  
I2t  
3.735  
1.1  
A2t  
V
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.0A  
VF  
Maximum DC Reverse Current T  
A
=
=25 O  
25 O  
C
C
5.0  
500  
I
R
uA  
pF  
OC / W  
OC  
at Rated DC Blocking VoltageT  
A
1
Typical Junction capacitance (Note 1)  
C
J
25  
Typical thermal resistance per leg ((Note 2)  
RθJA  
RθJL  
40  
15  
Operating Junstion and Storage Temperature Range  
TJ  
,TSTG  
-55 to +150  
NOTES:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts  
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 X 0.5"(13 X 13mm) copper pads  
PAGE . 1  
STAD-JAN.22.2007  
123

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