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DHG10I1200PA

更新时间： 2024-09-21 19:37:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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DHG10I1200PA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74其他特性：FREEWHEELING, SNUBBER DIODE
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.38 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：70 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：70 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DHG10I1200PA 数据手册

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DHG 10 I 1200 PA  
preliminary  
VRRM = 1200 V  
Sonic Fast Recovery Diode  
IFAV  
trr  
=
=
A
10  
200 ns  
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Single Diode  
Part number  
DHG 10 I 1200 PA  
3
1
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Housing: TO-220  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
1200  
15  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 1200V  
VR = 1200V  
TVJ  
TVJ = 125°C  
TVJ 25°C  
0.2 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
10A  
20A  
10A  
20A  
=
2.22  
V
V
V
V
A
V
2.93  
2.23  
3.14  
10  
T
VJ = 125°C  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 105°C  
TVJ = 150°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
1.25  
for power loss calculation only  
slope resistance  
90 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
1.50 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
150  
85  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
60  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
9
10.5  
200  
350  
4
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
A
IF = 10 A; VR = 600V  
-diF/dt = 250 A/µs  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 600 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20110622a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2011 IXYS all rights reserved  
©
1234

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与DHG10I1200PA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DHG10I1200PM IXYS

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 		High Performance Fast Recovery Diode Low Loss and Soft Recovery Single Diode
DHG10I1200PM LITTELFUSE

获取价格

 		SONIC系列提供改进的反向恢复特性，具有硬关断能力，击穿电压高达1800V。
DHG10I1800PA LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1800V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT,
DHG10I1800PA IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1800V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT,
DHG10I600PA LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT,
DHG10I600PM IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220FPAB, 2 PI
DHG10I600PM LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220FPAB, 2 PI
DHG10IM1800UZ LITTELFUSE

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 		SONIC系列提供改进的反向恢复特性，具有硬关断能力，击穿电压高达1800V。
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 		Rectifier Diode,

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