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DH80124-BH300

更新时间： 2024-11-30 18:44:39
品牌 Logo 应用领域
TEMEX 高压开关二极管
页数 文件大小 规格书
2页 55K
描述
Pin Diode, Silicon, CERAMIC, 2 PIN

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DH80124-BH300 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-CEMW-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.77
其他特性：HIGH VOLTAGE应用：SWITCHING
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最大二极管电容：1.2 pF二极管元件材料：SILICON
最大二极管正向电阻：0.35 Ω二极管类型：PIN DIODE
频带：HIGH FREQUENCY TO L BANDJESD-30 代码：O-CEMW-N2
少数载流子标称寿命：10 µs元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：MICROWAVE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式：NO LEAD
端子位置：ENDBase Number Matches：1

DH80124-BH300 数据手册

 浏览型号DH80124-BH300的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON PIN DIODES  
High voltage PIN diodes  
S ILICON P IN DIODES FOR S WITCHING & P HAS E  
S HIFTING AP P LICATIONS (MEDIUM & HIGH P OWER)  
Description  
This series of high power, high voltage PIN diodes incorporates ceram ic-glass passivated m esa  
technology. A broad range of products is available, in term s of breakdown voltages, junction  
capacitances and series resistances, to suit a large variety of applications, from 1 MHz to several GHz.  
These diodes are available in non-m agnetic packages.  
Electrical characteristics  
CHIP DIODES  
CHIP AND PACKAGED DIODES  
Applicable Break-  
voltage dow n  
J unction  
capacitance  
Forward series  
resistance  
RSF  
Minority  
carrier  
lifetim e  
Characteristics  
at 25°C  
Chip  
dim ensions  
(1)  
VR  
VBR  
C
j
τ
I
VR = 50 V  
f = 1 MHz  
pF  
f=120 MHz  
IF =10 m A  
IR =6m A  
Test conditions  
N/ A  
I<10µA I<10µA  
IF AS SHOWN  
TYPE  
m m typ.  
V
V
Ω MAX  
µS  
PIN  
Gold dia per side  
min.  
typ.  
typ.  
max  
IF = 100 mA IF = 200 mA  
min.  
EH80050  
EH80051  
EH80052  
EH80053  
EH80055  
EH80080  
EH80083  
EH80086  
EH80100  
EH80102  
EH80106  
0.13  
0.15  
0.25  
0.27  
0.34  
0.13  
0.27  
0.55  
0.23  
0.30  
0.55  
0.6  
0.6  
0.8  
0.8  
0.9  
0.8  
0.9  
1.4  
0.9  
0.9  
1.4  
500  
500  
500  
500  
500  
800  
800  
800  
550  
550  
550  
550  
550  
850  
850  
850  
0.15  
0.30  
0.60  
0.80  
1.2  
0.15  
0.80  
1.4  
0.20  
0.40  
0.70  
0.90  
1.3  
0.35  
0.90  
1.7  
0.70  
0.60  
0.40  
0.30  
0.25  
0.80  
0.40  
0.35  
0.70  
0.40  
0.35  
0.65  
0.55  
0.30  
0.25  
0.22  
0.70  
0.30  
0.28  
0.60  
0.35  
0.30  
1.1  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
2.0  
3.0  
5.0  
3.0  
4.0  
7.0  
1000  
1000  
1000  
1100  
1100  
1100  
0.30  
0.60  
1.40  
0.40  
0.75  
1.70  
V = 100V  
I = 200 mA I = 300 mA  
F F  
R
EH80120  
EH80124  
EH80126  
EH80129  
EH80154  
EH80159  
0.25  
0.65  
0.75  
1.25  
0.65  
1.25  
0.9  
1.5 H (2)  
1.7 H (2)  
2.2  
1.5  
2.2  
1200  
1200  
1200  
1200  
1500  
1500  
1300  
1300  
1300  
1300  
1600  
1600  
0.30  
0.40  
1.20  
1.70  
2.30  
1.20  
2.30  
0.60  
0.45  
0.40  
0.30  
0.45  
0.30  
0.55  
0.35  
0.30  
0.25  
0.35  
0.25  
6.0  
1.00  
1.40  
2.00  
1.00  
2.00  
10.0  
12.0  
15.0  
10.0  
15.0  
V = 200V  
I = 200 mA I = 300 mA  
F F  
R
EH80182  
EH80189  
EH80204  
EH80209  
EH80210  
0.75  
1.4  
0.85  
1.4  
1.5  
2.6 H (2)  
1.7  
2.6 H (2)  
3 H (2)  
1800  
1800  
2000  
2000  
2000  
1900  
1900  
2100  
2100  
2100  
0.60  
0.80  
2.40  
1.30  
2.40  
3.40  
0.60  
0.35  
0.50  
0.35  
0.20  
0.50  
0.30  
0.40  
0.30  
0.15  
12.0  
18.0  
14.0  
18.0  
25.0  
2.00  
1.00  
2.00  
3.00  
1.5  
(1) Other capacitance values available on request  
(2) Hexagonal chips (between opposite flats)  
12-18  
Vol. 1  
SALES OFFICES : VIS IT OUR WEB S ITE AT  
h tt p ://w w w .t e m ex.c o m  
12

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