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DGR80N120ATL1BQ

更新时间： 2024-04-09 19:02:08

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DGR80N120ATL1BQ 数据手册

RoHS

DGR80N120ATL1BQ

COMPLIANT

IGBT Discrete

V_CE

1200

I_C

V_CE(SAT)I_C=80A

P_D

1.75

735

Circuit

Applications



PTC heater

Features



High breakdown voltage to 1200V for improved

reliability



Maximum junction temperature 150℃

Positive temperature coefficient

Qualified to AEC-Q101



Maximum Ratings

Parameter

Symbol

V_CE

Value

1200

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Collector Current, limited by T_jmax

145*

T_C= 25°C

I_C

T_C= 100°C

V_GE

±20

±30

Continuous Gate-Emitter Voltage

Transient Gate-Emitter Voltage

(tp≤10µs,D<0.010)

Turn off Safe Operating Area V_CE≤1200V,

T_j≤ 150°C

240

Pulsed Collector Current, V_GE=15V,

tp limited by T_jmax

I_CM

240

735

Power Dissipation , Tj=150°C，Tc=25°C

P_tot

*Bond wire current limit is 80A

S-M466

www.21yangjie.com

Rev.1.3, 04-Dec-23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DGRBQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRBR	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRGQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRGR	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRRQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRRR	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRWQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRWR	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRYQ	CIT	获取价格	CIT SWITCH
DGRYR	CIT	获取价格	CIT SWITCH