是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP16,.3 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.77 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | IT CAN ALSO OPERATE AT SINGLE 12V SUPPLY |
模拟集成电路 - 其他类型: | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
长度: | 20.13 mm | 负电源电压最大值(Vsup): | -20 V |
负电源电压最小值(Vsup): | -5 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
信道数量: | 4 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 16 | 标称断态隔离度: | 81 dB |
通态电阻匹配规范: | 10 Ω | 最大通态电阻 (Ron): | 380 Ω |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 12/+-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大信号电流: | 0.03 A |
子类别: | Multiplexer or Switches | 最大供电电流 (Isup): | 0.6 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 20 V | 最小供电电压 (Vsup): | 5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
最长断开时间: | 300 ns | 最长接通时间: | 340 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DG509BEN-T1-GE4 | VISHAY |
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Precision 8-Channel/Dual 4-Channel CMOS Analog Multiplexers | |
DG509BEQ-T1-E3 | VISHAY |
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Precision 8-Channel/Dual 4-Channel CMOS Analog Multiplexers | |
DG509BEY-T1-E3 | VISHAY |
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Precision 8-Channel/Dual 4-Channel CMOS Analog Multiplexers | |
DG509BP | VISHAY |
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Differential Multiplexer, 1 Func, 4 Channel, CMOS, CDIP16 | |
DG509BP-4 | VISHAY |
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Differential Multiplexer, 1 Func, 4 Channel, CMOS, CDIP16 | |
DG50F12T3 | STARPOWER |
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T3.0-Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT Without Short-circuit Capacity | |
DG50NA100 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG50NA120 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG50NA140 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG50NA160 | YANGJIE |
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3GBJ |