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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> DG445BDJ-E3
DG445BDJ-E3 PDF预览

DG445BDJ-E3

更新时间： 2024-11-20 12:20:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
15页 243K
描述
Improved Quad SPST CMOS Analog Switches

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DG445BDJ-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP16,.3
针数：16Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.24
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SPST
JESD-30 代码：R-PDIP-T16JESD-609代码：e3
长度：20.13 mm湿度敏感等级：1
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V正常位置：NO
信道数量：1功能数量：4
端子数量：16标称断态隔离度：90 dB
最大通态电阻 (Ron)：80 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP16,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：12/+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm子类别：Multiplexer or Switches
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
最长断开时间：200 ns最长接通时间：300 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

DG445BDJ-E3 数据手册

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DG444B, DG445B  
Vishay Siliconix  
Improved Quad SPST CMOS Analog Switches  
FEATURES  
DESCRIPTION  
•
Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
Definition  
The DG444B, DG445B are monolithic quad analog switches  
designed to provide high speed, low error switching of analog  
and audio signals. The DG444B, DG445B are upgrades to  
the original DG444, DG445.  
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance: 45 W  
Low Power Consumption: 1 mW  
Fast Switching Action - tON: 120 ns  
Low Charge Injection  
TTL/CMOS-Compatible Logic  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Combing low on-resistance (45 , typ.) with high speed  
(tON 120 ns, typ.), the DG444B, DG445B are ideally suited  
for Data Acquisition, Communication Systems, Automatic  
Test Equipment, or Medical Instrumentation. Charge  
injection has been minimized on the drain for use in  
sample-and-hold circuits.  
BENEFITS  
•
•
•
•
•
Low Signal Errors and Distortion  
Reduced Power Supply Consumption  
Faster Throughput  
Reduced Pedestal Errors  
Simple Interfacing  
The DG444B, DG445B are built using Vishay Siliconix’s  
high-voltage silicon-gate process. An epitaxial layer prevents  
latchup.  
APPLICATIONS  
When on, each switch conducts equally well in both  
directions and blocks input voltages to the supply levels  
when off.  
•
•
•
•
•
•
Audio Switching  
Data Acquisition  
Sample-and-Hold Circuits  
Communication Systems  
Automatic Test Equipment  
Medical Instruments  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION  
DG444B  
Dual-In-Line and SOIC  
IN  
D
IN  
D
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
2
1
1
1
TRUTH TABLE  
2
Logic  
DG444B  
ON  
DG445B  
OFF  
S
S
2
0
1
V+  
V-  
OFF  
ON  
V
L
GND  
Logic "0" 0.8 V  
Logic "1" 2.4 V  
S
3
S
4
D
4
D
3
IN  
4
IN  
3
Top View  
DG444B  
QFN16 (4 x 4 mm)  
ORDERING INFORMATION  
D
1
IN IN  
D
2
1
2
Temp Range  
Package  
Part Number  
16 15 14 13  
DG444BDJ  
DG444BDJ-E3  
DG445BDJ  
S
1
2
3
4
S
16-pin Plastic DIP  
12  
1
2
V-  
V+  
11  
10  
9
DG445BDJ-E3  
DG444BDY-E3  
DG444BDY-T1-E3  
DG445BDY-E3  
DG445BDY-T1-E3  
DG444BDN-T1-E4  
DG445BDN-T1-E4  
V
L
GND  
- 40 °C to 85 °C  
S
4
S
3
16-pin Narrow SOIC  
16 pin QFN 4 x 4 mm  
5
6
7
8
D
IN IN  
D
3
4
4
3
Top View  
Document Number: 72626  
S11-1350-Rev. B, 04-Jul-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...15

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