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DG442ETE-T

更新时间: 2024-09-17 13:07:19
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美信 - MAXIM 开关
页数 文件大小 规格书
9页 126K
描述
SPST, 4 Func, 1 Channel, CMOS, 5 X 5 MM, TQFN-16

DG442ETE-T 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFN
包装说明:HVQCCN, LCC16,.20SQ,32针数:16
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.42Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:SPSTJESD-30 代码:S-XQCC-N16
JESD-609代码:e0长度:5 mm
湿度敏感等级:1负电源电压最大值(Vsup):-20 V
负电源电压最小值(Vsup):-4.5 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
正常位置:NO信道数量:1
功能数量:4端子数量:16
标称断态隔离度:60 dB通态电阻匹配规范:4 Ω
最大通态电阻 (Ron):85 Ω最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C输出:SEPARATE OUTPUT
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:HVQCCN
封装等效代码:LCC16,.20SQ,32封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):245
电源:+-4.5/+-20/10/30 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.8 mm子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):20 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:YES
最长断开时间:120 ns最长接通时间:250 ns
切换:BREAK-BEFORE-MAKE技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:5 mmBase Number Matches:1

DG442ETE-T 数据手册

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