是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | ALSO OPERATE WITH 2.7V TO 12V SINGLE SUPPLY | 模拟集成电路 - 其他类型: | DPST |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T8 | 长度: | 9.78 mm |
负电源电压最大值(Vsup): | -6 V | 负电源电压最小值(Vsup): | -3 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -5 V | 正常位置: | NO/NC |
信道数量: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 标称断态隔离度: | 71 dB |
最大通态电阻 (Ron): | 18.5 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP8,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/12/+-5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
最长断开时间: | 32 ns | 最长接通时间: | 41 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | BICMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DG419LDJ | MAXIM |
获取价格 |
SPDT, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 | |
DG419LDQ | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches | |
DG419LDQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches | |
DG419LDY | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches | |
DG419LDY | ROCHESTER |
获取价格 |
2-CHANNEL, DBL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 | |
DG419LDY+ | MAXIM |
获取价格 |
SPDT, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 | |
DG419LDY+T | MAXIM |
获取价格 |
暂无描述 | |
DG419LDY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches | |
DG419LDY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches | |
DG419LDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches |