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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.27 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPST | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.375 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 负电源电压最大值（Vsup）： | -20 V |
| 负电源电压最小值（Vsup）： | -4.5 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 信道数量： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 标称断态隔离度： | 90 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 0.1 Ω | 最大通态电阻 (Ron)： | 35 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 20 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 最长断开时间： | 185 ns | 最长接通时间： | 175 ns |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DG418LDJ+ | MAXIM |
获取价格 |
SPST, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
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| DG418LDQ | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches |
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| DG418LDQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DPDT, 1 Func, BICMOS, PDSO8, |
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| DG418LDQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches |
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| DG418LDY | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches |
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| DG418LDY | MAXIM |
获取价格 |
SPST, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 |
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| DG418LDY+ | MAXIM |
获取价格 |
SPST, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 |
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| DG418LDY+T | MAXIM |
获取价格 |
SPST, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 |
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| DG418LDY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches |
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| DG418LDY-T | MAXIM |
获取价格 |
SPST, 1 Func, 1 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 |
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