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DG412DJ

更新时间： 2025-07-22 06:53:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 104K
描述
Precision Monolithic Quad SPST CMOS Analog Switches

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DG412DJ 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP16,.3针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.22
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SPST
JESD-30 代码：R-PDIP-T16JESD-609代码：e0
正常位置：NO功能数量：4
端子数量：16最大通态电阻 (Ron)：100 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP16,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
电源：5,12/+-15 V认证状态：Not Qualified
子类别：Multiplexer or Switches表面贴装：NO
最长接通时间：250 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DG412DJ 数据手册

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DG411/412/413  
Vishay Siliconix  
Precision Monolithic Quad SPST CMOS Analog Switches  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D 44-V Supply Max Rating  
D Widest Dynamic Range  
D Precision Automatic Test Equipment  
D Precision Data Acquisition  
D "15-V Analog Signal Range  
D On-Resistance—rDS(on): 25 W  
D Fast Switching—tON: 110 ns  
D Ultra Low Power—PD: 0.35 mW  
D TTL, CMOS Compatible  
D Low Signal Errors and Distortion  
D Break-Before-Make Switching Action D Communication Systems  
D Simple Interfacing  
D Battery Powered Systems  
D Computer Peripherals  
D Single Supply Capability  
DESCRIPTION  
The DG411 series of monolithic quad analog switches was  
designed to provide high speed, low error switching of  
precision analog signals. Combining low power (0.35 mW) with  
high speed (tON: 110 ns), the DG411 family is ideally suited for  
portable and battery powered industrial and military  
applications.  
Each switch conducts equally well in both directions when on,  
and blocks input voltages up to the supply levels when off.  
The DG411 and DG412 respond to opposite control logic as  
shown in the Truth Table. The DG413 has two normally open  
and two normally closed switches.  
To achieve high-voltage ratings and superior switching  
performance, the DG411 series was built on Vishay Siliconix’s  
high voltage silicon gate process. An epitaxial layer prevents  
latchup.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION  
DG411  
DG411  
Dual-In-Line and SOIC  
LCC  
D
IN NC IN  
D
2
1
1
2
IN  
D
IN  
D
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
2
1
1
1
Key  
1
3
2
1
20 19  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
2
TRUTH TABLE  
4
5
6
7
8
18  
17  
16  
S
S
2
S
S
2
Logic  
DG411  
DG412  
V–  
NC  
V+  
V+  
V–  
0
1
ON  
OFF  
ON  
NC  
V
L
OFF  
GND  
15  
14  
Logic “0” v 0.8 V  
Logic “1” w 2.4 V  
S
3
S
4
GND  
V
L
D
4
D
3
S
4
S
3
IN  
4
IN  
3
9
10 11 12 13  
D
4
IN NC IN  
4
D
3
Top View  
3
Top View  
Document Number: 70050  
S-52433—Rev. D, 06-Sep-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
4-1  
12345678

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