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DG30X06T2 PDF预览

DG30X06T2

更新时间： 2024-04-09 19:00:03

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	233K
描述
T2.0-Trench FS IGBT,Low Loss

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DG30X06T2

IGBT Discrete

DOSEMI

IGBT

DG30X06T2

600V/30A IGBT with Diode

General Description

DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra

low conduction loss as well as low switching loss.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features













Low V_CE(sat)Fast IGBT technology

Low switching loss

Maximum junction temperature 175^oC

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Lead free package

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

12/10/2018

1/9

Preliminary

12 3 4 5 6 7...9

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