是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | QFN | 包装说明: | VQCCN, LCC16,.07X.1,16 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.78 |
模拟集成电路 - 其他类型: | DPDT | JESD-30 代码: | R-XQCC-N16 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 2.6 mm |
信道数量: | 2 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 16 | 标称断态隔离度: | 66 dB |
最大通态电阻 (Ron): | 3.3 Ω | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出: | SEPARATE OUTPUT |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | VQCCN |
封装等效代码: | LCC16,.07X.1,16 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
最长断开时间: | 85 ns | 最长接通时间: | 115 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.4 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 1.8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DG25F12T2 | STARPOWER |
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T2.0-Advanced Trench FS Ultra Fast IGBT Without Short-circuit Capacity | |
DG25NA100 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25NA120 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25NA140 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25NA160 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25NA60 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25NA80 | YANGJIE |
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3GBJ | |
DG25X12T2 | STARPOWER |
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T2.0-Trench FS IGBT,Low Loss | |
DG25Y12T2 | STARPOWER |
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T2.0-Advanced Trench FS IGBT,Low Loss | |
DG2612 | VISHAY |
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Low-Voltage, Low rON, SPDT Audio Switch with Negative Swing Capability |