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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> DG2535DN-T1-E4
DG2535DN-T1-E4 PDF预览

DG2535DN-T1-E4

更新时间： 2024-02-16 04:59:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
0.35 OHM Low-Voltage Dual SPDT Analog Switch

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DG2535DN-T1-E4 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFN包装说明：VQCCN, LCC10(UNSPEC)
针数：10Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
模拟集成电路 - 其他类型：SPDTJESD-30 代码：S-XQCC-N10
JESD-609代码：e4长度：3 mm
湿度敏感等级：1正常位置：NO/NC
信道数量：1功能数量：2
端子数量：10标称断态隔离度：69 dB
通态电阻匹配规范：0.05 Ω最大通态电阻 (Ron)：0.6 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VQCCN封装等效代码：LCC10(UNSPEC)
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES最长断开时间：78 ns
最长接通时间：90 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3 mm
Base Number Matches：1

DG2535DN-T1-E4 数据手册

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DG2535/DG2536  
Vishay Siliconix  
New Product  
0.35-ꢀ Low-Voltage Dual SPDT Analog Switch  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Reduced Power Consumption  
D High Accuracy  
D Low Voltage Operation  
D Cellular Phones  
D Low On-Resistance - rON: 0.35 W @ 2.7 V  
D −69 dB OIRR @ 2.7 V, 100 kHz  
D MSOP-10 and DFN-10 Packages  
D ESD Protection >2000 V  
D Speaker Headset Switching  
D Audio and Video Signal Routing  
D PCMCIA Cards  
D Reduce Board Space  
D 1.8-V Logic Compatible  
D High Bandwidth  
D Battery Operated Systems  
D Relay Replacement  
D Latch-Up Current >300 mA (JESD 78)  
DESCRIPTION  
The DG2535/DG2536 is a sub 1-W (0.35 W @ 2.7 V ) dual  
SPDT analog switches designed for low voltage applications.  
built in to prevent latchup. The DG2535/DG2536 contains the  
additional benefit of 2,000-V ESD protection.  
In space saving MSOP-10 and DFN-10 lead (Pb)-free packages,  
the DG2535/DG2536 are high performance, low rON switches for  
battery powered applications. No lead (Pb) is used in the  
manufacturing process either inside the device/package or on the  
external terminations. As a committed partner to the community  
and the environment, Vishay Siliconix manufactures this product  
with the lead (Pb)-free device terminations. For analog switching  
products manufactured in DFN packages, the lead (Pb)-free  
“−E3/E4” suffix is being used as a designator. Lead (Pb)-free  
DFN products purchased at any time will have either a  
nickel-palladium-gold device termination or a 100% matte tin  
device termination. The different lead (Pb)-free materials are  
interchangeable and meet all JEDEC standards for reflow and  
MSL rating.  
The DG2535/DG2536 has on-resistance matching (less than  
0.05 W @ 2.7 V) and flatness (less than 0.2 W @ 2.7 V) that are  
guaranteed over the entire voltage range. Additionally, low  
logic thresholds make the DG2535/DG2536 an ideal interface  
to low voltage DSP control signals.  
The DG2535/DG2536 has fast switching speed with  
break-before-make guaranteed. In the On condition, all  
switching elements conduct equally in both directions.  
Off-isolation and crosstalk is −69 dB @ 100 kHz.  
The DG2535/DG2536 is built on Vishay Siliconix’s  
high-density low voltage CMOS process. An eptiaxial layer is  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION  
DG2535  
V+  
NO1  
NO2  
COM2  
IN2  
1
2
3
4
5
10  
9
COM1  
IN1  
8
NC2  
GND  
7
TRUTH TABLE  
NC1  
6
Top View  
Logic  
NC1 and NC2  
NO1 and NO2  
0
1
ON  
OFF  
ON  
OFF  
DG2536  
ORDERING INFORMATION  
V+  
NC1  
NC2  
COM2  
IN2  
1
2
3
4
5
10  
9
Temp Range  
Package  
Part Number  
DG2535DQ-T1—E3  
DG2536DQ-T1—E3  
COM1  
IN1  
MSOP-10  
8
-40 to 85°C  
NO2  
GND  
7
DG2535DN-T1—E3/E4  
DG2536DN-T1—E3/E4  
DFN-10  
NO1  
6
Top View  
Document Number: 72939  
S-41967—Rev. B, 01-Nov-04  
www.vishay.com  
1
12345

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