是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP16,.3 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 1.9 | Is Samacsys: | N |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPST | JESD-30 代码: | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20.13 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 负电源电压最大值(Vsup): | -22 V |
负电源电压最小值(Vsup): | -4.5 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
正常位置: | NO | 信道数量: | 1 |
功能数量: | 4 | 端子数量: | 16 |
标称断态隔离度: | 90 dB | 通态电阻匹配规范: | 2 Ω |
最大通态电阻 (Ron): | 85 Ω | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出: | SEPARATE OUTPUT |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP16,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5,12/+-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 22 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
最长断开时间: | 200 ns | 最长接通时间: | 300 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DG212BDQ | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDQ-E3 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDQ-T1 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDQ-T1-E3 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDY | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDY-E3 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDY-T1 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BDY-T1-E3 | VISHAY |
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Improved Quad CMOS Analog Switches | |
DG212BJ | VISHAY |
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IC 4-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDIP, PLASTIC, DIP, Multiplexer or Switch | |
DG212BJ | TEMIC |
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SPST, 1 Func, 4 Channel, PLASTIC, DIP |