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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 1.9 | Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPST | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 20.13 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 负电源电压最大值（Vsup）： | -22 V |
| 负电源电压最小值（Vsup）： | -4.5 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 正常位置： | NO | 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 4 | 端子数量： | 16 |
| 标称断态隔离度： | 90 dB | 通态电阻匹配规范： | 2 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 85 Ω | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5,12/+-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 22 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 最长断开时间： | 200 ns | 最长接通时间： | 300 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DG212BDQ | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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| DG212BDQ-E3 | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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| DG212BDQ-T1 | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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| DG212BDQ-T1-E3 | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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| DG212BDY | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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| DG212BDY-E3 | VISHAY | Improved Quad CMOS Analog Switches |
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