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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | QFN | 包装说明： | HVQCCN, LCC16,.16SQ,25 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.64 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | DPDT | JESD-30 代码： | S-XQCC-N16 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 信道数量： | 2 |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 16 |
| 标称断态隔离度： | 67 dB | 通态电阻匹配规范： | 0.15 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 1.6 Ω | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | HVQCCN |
| 封装等效代码： | LCC16,.16SQ,25 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 62 ns | 最长接通时间： | 67 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | PALLADIUM GOLD OVER NICKEL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DG2016 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
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| DG2016_08 | VISHAY |
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High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2016_11 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2016DQ | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switch |
|
| DG2016DQ-T1 | VISHAY |
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Analog Switch Dual SPDT 10-Pin MSOP T/R |
|
| DG2016DQ-T1-E3 | VISHAY |
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High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2017 | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low ON, Dual DPDT Analog Switch |
|
| DG2017_11 | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low RON, Dual DPDT Analog Switch |
|
| DG2017DN | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low ON, Dual DPDT Analog Switch |
|
| DG2017DN-T1-E4 | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low RON, Dual DPDT Analog Switch |
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