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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | VQCCN, LCC16,.16SQ,25 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT | JESD-30 代码： | S-CQCC-N16 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4 mm |
| 信道数量： | 1 | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 16 | 标称断态隔离度： | 67 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 0.15 Ω | 最大通态电阻 (Ron)： | 1.6 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出： | SEPARATE OUTPUT | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | VQCCN | 封装等效代码： | LCC16,.16SQ,25 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 子类别： | Multiplexer or Switches | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 最长断开时间： | 60 ns |
| 最长接通时间： | 65 ns | 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DG2015DN-E3 | VISHAY |
获取价格 |
IC DUAL 1-CHANNEL, SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, CQCC16, 4 X 4 MM, QFN-16, Multiplexer or |
|
| DG2015DN-T1-E4 | VISHAY |
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ANLG SW DUAL DPDT 3.3V 16QFN - Tape and Reel |
|
| DG2016 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2016_08 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2016_11 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2016DQ | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switch |
|
| DG2016DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Analog Switch Dual SPDT 10-Pin MSOP T/R |
|
| DG2016DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
High-Bandwidth, Low Voltage, Dual SPDT Analog Switches |
|
| DG2017 | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low ON, Dual DPDT Analog Switch |
|
| DG2017_11 | VISHAY |
获取价格 |
Low-Voltage, Low RON, Dual DPDT Analog Switch |
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