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DF3A6.8FU

更新时间: 2024-11-04 21:54:39
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东芝 - TOSHIBA 二极管齐纳二极管测试光电二极管
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2页 85K
描述
DIODES (DIODES FOR PROTECTING AGAINST ESD)

DF3A6.8FU 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.51
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.9%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

DF3A6.8FU 数据手册

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