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DF300R12KE3

更新时间： 2023-12-06 20:11:34

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		斩波器双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	169K
描述
62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选.

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DF300R12KE3 数据手册

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

DF300R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

V

300

480

A

A

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

600

1470

+/- 20

300

600

19

A

W

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

V

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

A

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

k A²s

kV

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

-

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

-

I_C= 300A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V

V

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 300A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

-

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 12mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

2,8

21

0,85

-

6,5

V

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

nF

nF

mA

nA

-

-

-

-

-

-

-

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

-

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

I_CES

5

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

-

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2002-10-02

revision: 3.0

DB_DF300R12KE3_3.0

2002-10-02

1 (8)

12 3 4 5 6 7...9

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与DF300R12KE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DF300R12KE3HOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5	获取价格
DF3066S170D	TOKEN	DF-B Dielectric Filters	获取价格
DF30AA120	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30AA160	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA40	SANREX	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)	获取价格
DF30BA60	SANREX	Bridge Rectifier Diode, 30A, 600V V(RRM),	获取价格

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