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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 2.22 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X20 |
| 元件数量： | 3 | 端子数量： | 20 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 690 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 150 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DF300R07PE4B6BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| DF300R07W2H3_B77 | INFINEON |
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Booster |
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| DF300R12KE3 | INFINEON |
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62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选. |
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| DF300R12KE3HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| DF3066S170D | TOKEN |
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DF-B Dielectric Filters |
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| DF30AA120 | SANREX |
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DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
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| DF30AA160 | SANREX |
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DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
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| DF30BA40 | SANREX |
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DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
|
| DF30BA60 | SANREX |
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Bridge Rectifier Diode, 30A, 600V V(RRM), |
|
| DF30BA80 | SANREX |
获取价格 |
DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE) |
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