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DF206S-T3

更新时间： 2024-02-29 13:55:03
品牌 Logo 应用领域
WTE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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DF206S-T3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DF206S-T3 数据手册

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®
DF200S – DF2010S  
2.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
G
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Surge Current Capability  
Designed for Surface Mount Application  
Plastic Material – UL Recognition Flammability  
Classification 94V-0  
-
+
~
B
~
A
D
E
C
L
DF-S  
Min  
H
K
Dim  
A
Max  
8.50  
6.50  
0.35  
0.33  
10.40  
1.53  
8.80  
2.50  
5.20  
1.20  
Mechanical Data  
J
7.80  
6.20  
0.20  
0.076  
—
B
Case: DF-S, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
D
E
Polarity: As Marked on Case  
Weight: 0.38 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
G
H
1.02  
8.13  
2.20  
5.00  
1.00  
J
K
L
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
DF  
200S  
DF  
201S  
DF  
202S  
DF  
204S  
DF  
206S  
DF  
DF  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
208S 2010S  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TA = 40°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage per element  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.1  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
10  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
15  
25  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per leg (Note 1)  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
CJ  
RθJA  
RθJL  
40  
15  
°C/W  
°C  
TJ, TSTG  
-65 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Mounted on PC board with 13 x 13mm copper pad.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF206S-T3-LF WTE

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