DF06-G

更新时间： 2024-01-30 13:37:08

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上华 - COMCHIP		二极管光电二极管
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3页	70K
描述
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

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DF06-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, DFS, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DF06-G 数据手册

SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

DF005-G Thru. DF10-G

Reverse Voltage: 50 to 1000V

Forward Current: 1.0A

RoHS Device

Features

-Rating to 1000V PRV

0.335(8.50)

0.307(7.80)

-Ideal for printed circuit board

-Low forward voltage drop,high current capability

0.031(0.8)

0.023(0.6)

0.256(6.5)

0.244(6.2)

-Reliable low cost construction utilizing molded plastic

technique results in inexpensive product

-The plastic material has UL flammability

classification 94V-0

0.350(8.90)

0.311(7.90)

0.323(8.20)

0.315(8.00)

Mechanical Data

-Polarit: As marked on Body

0.063(1.6)

0.055(1.4)

0.102(2.6)

0.089(2.2)

0.193(4.9)

0.022(0.55)

0.018(0.45)

0.165(4.2)

-Weight: 0.38 grams

0.205(5.20)

0.197(5.00)

-Mounting position: Any

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Symbol ^DF005-G

DF01-G

DF02-G

DF04-G

DF06-G

DF08-G

DF10-G

Parameter

Unit

RRM

100

200

140

200

600

420

600

800

560

800

1000

700

400

280

400

Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage

Maximum RMS Voltage

RMS

100

1000

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward

I(AV)

1.0

Rectified Current @T =40°C

Peak Forward Surage Current ,

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load

IFSM

I²t

A s

I²t Rating for Fusing (t＜8.3ms)

10.4

1.1

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

= 25°C

=125°C

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

500

μA

°C/W

°C

Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

θJA

-55 ~ +150

Storage Temperature Range

TSTG

°C

Notes:

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC

2. Unit mounted on P.C.B with 0.50"×0.50” (13×13mm) copper pads.

REV: A

Page 1

QW-BBR75

Comchip Technology CO., LTD.

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