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DE28F800B3B115

更新时间: 2024-01-26 01:49:44
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恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 1463K
描述
Flash, 512KX16, 19ns, PDSO56, SSOP-56

DE28F800B3B115 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SSOP
包装说明:SSOP-56针数:56
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.67
最长访问时间:19 ns其他特性:MINIMUM 100,000 BLOCK ERASE CYCLES; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块:BOTTOMJESD-30 代码:R-PDSO-G56
长度:23.7 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1端子数量:56
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.9 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:13.3 mmBase Number Matches:1

DE28F800B3B115 数据手册

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