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DD600S65K3NOSA1

更新时间： 2024-11-25 19:55:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
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7页 399K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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DD600S65K3NOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.39其他特性：UL APPROVED
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：3.5 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：600 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：IEC-1287; IEC-61140
最大重复峰值反向电压：6500 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DD600S65K3NOSA1 数据手册

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DD600S65K3  
hochisolierendesꢀModul  
highꢀinsulatedꢀmodule  
VCES = 6500V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Traktionsumrichter  
PotentialꢀApplications  
• Mediumꢀvoltageꢀconverters  
• Tractionꢀdrives  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
• Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg  
=
• Extended storage temperature down to Tstg =  
-55°C  
-55°C  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• Gehäuse mit erweiterten  
• Package with enhanced insulation of 10.4kV AC  
Isolationseigenschaftenꢀvonꢀ10,4kVꢀACꢀ10s  
10s  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2018-01-15  
1234567

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DD600S65K3NOSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DD600S65K3 INFINEON

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 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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