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DD400S65K1

更新时间： 2024-11-05 03:05:23

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Dioden-Module

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DD400S65K1 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	4.7 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	400 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	6300 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

DD400S65K1 数据手册

Technische Information / Technical Information

Dioden-Module

Diode-Modules

DD 400 S 65 K1

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj=125°C

6500

6300

5800

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj=25°C

V_CES

repetitive peak reverse voltage

T_vj=-40°C

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

400

800

Periodischer Spitzenstrom

t_P= 1 ms

I_FRM

repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

insulation test voltage

V_ISOL

10,2

5,1

Teilentladungs Aussetzspannung

RMS, f = 50 Hz, Q_PDtyp. 10pC (acc. To IEC 1287)

partial discharge extinction voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

I_F= 400A, T_vj= 25°C

Durchlaßspannung

V_F

I_R

3,0

3,8

3,9

4,6

4,7

forward voltage

I_F= 400A, T_vj= 125°C

V_R= 6300V, T_vj= 25°C

Sperrstrom

0,15

reverse current

V_R= 6500V, T_vj= 125°C

I_F= 400A, - di_F/dt = 1400A/µs

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

V_R= 3600V, T_vj= 25°C

I_RM

540

660

V_R= 3600V, T_vj= 125°C

I_F= 400A, - di_F/dt = 1400A/µs

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

V_R= 3600V, T_vj= 25°C

Q_r

360

700

µC

V_R= 3600V, T_vj= 125°C

I_F= 400A, - di_F/dt = 1400A/µs

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

V_R= 3600V, T_vj= 25°C

E_rec

440

V_R= 3600V, T_vj= 125°C

1050

Modulinduktivität

L_sCE

pro Zweig / per arm

stray inductance module

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

pro Zweig / per arm

R_CC´+EE´

0,37

mΩ

module lead resistance, terminals - chip

prepared by: Dr. Oliver Schilling

date of publication: 2002-07-05

revision/Status: Series 1

approved by: Dr. Schütze 2002-07-05

DD 400 S65 K1 (final 1).xls

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DD400S65K1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DD500S65K3	INFINEON	功能相似	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD500S65K3NOSA1	INFINEON	功能相似	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD400S65K1	INFINEON	功能相似	IGBT-Module

与DD400S65K1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD405	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 16; 25V, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DD406	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 16; 25V, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DD408	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 25V, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DD40F	SANREX	获取价格	DIODE MODULE
DD40F120	SANREX	获取价格	DIODE MODULE
DD40F160	SANREX	获取价格	DIODE MODULE
DD40F40	SANREX	获取价格	DIODE MODULE
DD40F80	SANREX	获取价格	DIODE MODULE
DD410	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 25V, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DD412	ETC	获取价格	Analog IC

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