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DD400S17K6CB2NOSA1

更新时间: 2024-09-15 20:05:31
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英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
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5页 424K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 400A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4

DD400S17K6CB2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-XUFM-X4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.5 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
元件数量:2相数:1
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:400 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:1700 V表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DD400S17K6CB2NOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
DD400S17K6C_B2  
初步数据  
PreliminaryꢀData  
二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
反向重复峰值电压  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
1700  
400  
V
A
A
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
连续正向直流电流  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
正向重复峰值电流  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
800  
I2t-值  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
45,0  
kA²s  
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
正向电压  
Forwardꢀvoltage  
IF = 400 A, VGE = 0 V  
IF = 400 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
2,10 2,50  
2,10 2,50  
V
V
VF  
反向恢复峰值电流  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 400 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
300  
370  
A
A
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
IRM  
恢复电荷  
Recoveredꢀcharge  
IF = 400 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
80,0  
145  
µC  
µC  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Qr  
反向恢复损耗(每脉冲)  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 400 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C  
35,0  
75,0  
mJ  
mJ  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Erec  
结-壳热阻  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
68,0 K/kW  
preparedꢀby:ꢀKHH  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-04-16  
revision:ꢀ2.1  
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