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DD252S-LF PDF预览

DD252S-LF

更新时间： 2024-01-25 18:53:58
品牌 Logo 应用领域
WTE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon,

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DD252S-LF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-XUPF-P1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.83
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-XUPF-P1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：25 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：PRESS FIT最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

DD252S-LF 数据手册

 浏览型号DD252S-LF的Datasheet PDF文件第2页 
WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
DD250/S – DD256/S  
25A GLASS PASSIVATED DISH TYPE PRESS-FIT DIODE  
Features  
ꢀ
Glass Passivated Die Construction  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low Leakage  
Low Cost  
High Surge Current Capability  
Low Forward  
C-Band Terminal Construction  
C
Anode +  
D
Mechanical Data  
B
ꢀ
Case: 8.4mm or 9.5mm Dish Type Press-Fit  
with Silicon Rubber Sealed on Top  
A
ꢀ
ꢀ
Terminals: Contact Areas Readily Solderable  
Polarity: Cathode to Case (Reverse Units Are  
Available Upon Request and Are Designated  
By A “R” Suffix, i.e. DD250R or DD250SR)  
Polarity: White Color Equals Standard,  
Black Color Equals Reverse Polarity  
8.4mm Dish  
9.5mm Dish  
Dim  
A
Min  
8.25  
2.00  
Max  
Min  
9.30  
2.00  
Max  
9.70  
2.40  
8.45  
2.40  
ꢀ
B
C
1.50 Ø Typical  
ꢀ
ꢀ
Mounting Position: Any  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 2  
D (+)*  
D (-)*  
17.50  
21.50  
20.50  
24.50  
17.50  
21.50  
20.50  
24.50  
All Dimensions in mm  
“S” Suffix Designates 8.4mm Dish  
No Suffix Designates 9.5mm Dish  
(+)*: Standard Polarity; (-)*: Reverse Polarity  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
DD250/ DD251/ DD252/ DD253/ DD254/ DD255/ DD256/  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
S
S
S
S
S
S
S
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
35  
70  
140  
210  
25  
280  
350  
420  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 120°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
300  
1.0  
A
Forward Voltage  
@IF = 25A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
5.0  
500  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 100°C  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Cj  
300  
1.0  
pF  
°C/W  
°C  
RθJC  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Thermal Resistance: Junction to case, single side cooled.  
DD250/S – DD256/S  
1 of 2  
© 2006 Won-Top Electronics  
12

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