DCR2150C30

更新时间： 2024-11-12 12:25:03

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器
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Phase Control Thyristor

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DCR2150C30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	3377 A
断态重复峰值电压：	3000 V	重复峰值反向电压：	3000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

DCR2150C30 数据手册

DCR2150C42

Phase Control Thyristor

Preliminary Information

DS5811-1.3 August 2007 (LN25547)

KEY PARAMETERS

FEATURES

ꢀ

Double Side Cooling

High Surge Capability

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

dV/dt*

dI/dt

4200V

2150A

29000A

1500V/µs

400A/µs

* Higher dV/dt selections available

APPLICATIONS

ꢀ

High Power Drives

High Voltage Power Supplies

Static Switches

VOLTAGE RATINGS

Part and

Ordering

Number

Repetitive Peak

Conditions

Voltages

V_DRMand V_RRM

DCR2150C42

DCR2150C40

DCR2150C35

DCR2150C30

4200

4000

3500

3000

T_vj= -40°C to 125°C,

I_DRM= I_RRM= 200mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms,

V_DSM& V_RSM

V_DRM& V_RRM+ 100V

respectively

Lower voltage grades available.

Outline type code: C

(See Package Details for further information)

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