Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> DCR1910V75

DCR1910V75

更新时间： 2024-11-12 04:12:31

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器
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Phase Control Thyristor Preliminary Information

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DCR1910V75 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	3000 A
断态重复峰值电压：	7500 V	重复峰值反向电压：	7500 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

DCR1910V75 数据手册

DCR1910V85

Phase Control Thyristor

Preliminary Information

DS5878-1.1 NOV 2006 (LN24964)

FEATURES

•

Double Side Cooling

High Surge Capability

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

dV/dt*

dI/dt

8500V

1910A

25000A

1500V/µs

300A/µs

APPLICATIONS

•

High Power Drives

* Higher dV/dt selections available

High Voltage Power Supplies

Static Switches

VOLTAGE RATINGS

Part and

Ordering

Number

Repetitive Peak

Conditions

Voltages

V_DRMand V_RRM

DCR1910V85

DCR1910V80

DCR1910V75

DCR1910V70

8500

8000

7500

7000

T_vj= -40°C to 125°C,

I_DRM= I_RRM= 300mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms,

V_DSM& V_RSM

V_DRM& V_RRM+ 100V

respectively

Lower voltage grades available.

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