DCR1021SF60

更新时间： 2024-02-25 06:49:12

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DYNEX		栅极触发装置可控硅整流器
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Phase Control Thyristor Target Information

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DCR1021SF60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1320 A
断态重复峰值电压：	6000 V	重复峰值反向电压：	6000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

DCR1021SF60 数据手册

DCR1021SF

Phase Control Thyristor

Target Information

DS5436-1.0 March 2001

FEATURES

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

dV/dt

dI/dt

6500V

840A

14000A

1000V/µs

100A/µs

■ Double Side Cooling

(max)

■ High Surge Capability

■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS

■ High Power Converters

■ DC Motor Control

■ High Voltage Power Supplies

VOLTAGE RATINGS

Part and Ordering Repetitive Peak

Conditions

Number

Voltages

_DRMand V_DRM

DCR1021SF65

DCR0121SF64

DCR1021SF63

DCR1021SF62

DCR1021SF61

DCR1021SF60

T_vj= 0˚ to 125˚C,

6500

6400

6300

6200

6100

6000

_DRM= I_RRM= 150mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms,

_DSM& V_RSM

Outline type code: F

V_DRM& V_RRM+ 100V

respectively

(See Package Details for further information)

Lower voltage grades available.

Fig. 1 Package outline

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DCR1021SF63

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