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DCA010-TB-E PDF预览

DCA010-TB-E

更新时间： 2024-02-18 22:00:02
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 30K
描述
Silicon Epitaxial Planar Type (Anode Common) Very High-Speed Switching Diode

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DCA010-TB-E 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.72
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

DCA010-TB-E 数据手册

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Ordering number : EN1892B  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
Silicon Epitaxial Planar Type (Anode Common)  
DCA010  
Very High-Speed Switching Diode  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
1117B  
•
Ideally suited for use in hybrid ICs because  
of very small-sized package.  
• Fast switching speed.  
• Small interterminal capacitance.  
[DCA010]  
0.4  
0.16  
3
Electrical Connection  
0 to 0.1  
Anode  
3
0.95  
0.95  
2
1
1 : Cathode  
2 : Cathode  
3 : Anode  
1.9  
2.9  
1
2
(Top view)  
SANYO : CP  
Cathode  
Cathode  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Peak Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
85  
RM  
Reverse Voltage  
V
R
80  
V
Peak Forward Current  
I
Unit rating  
Total rating  
Unit rating  
Total rating  
Unit rating  
Total rating  
300  
mA  
mA  
mA  
mA  
A
FM  
450  
Average Rectified Current  
I
O
100  
150  
Surge Current (1µs)  
I
4
FSM  
6
200  
A
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
Tj  
mW  
°C  
°C  
125  
Tstg  
--55 to +125  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
N0106 / 12000 GI IM / 2019MO, TS No.1892-1/3  
123

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