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DC0122A-45 PDF预览

DC0122A-45

更新时间： 2024-11-16 20:07:03
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
46页 395K
描述
DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144

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DC0122A-45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA144,12X12,32
针数：144Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：450 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B144
JESD-609代码：e0长度：12 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：32功能数量：1
端口数量：1端子数量：144
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA144,12X12,32
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,2.5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.4 mm自我刷新：YES
连续突发长度：4子类别：DRAMs
最大供电电压 (Vsup)：2.75 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：12 mm
Base Number Matches：1

DC0122A-45 数据手册

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DATA SHEET  
128M bits Self Terminated Interface  
DDR SDRAM  
DC0122A (4M words × 32 bits)  
Description  
Pin Configurations  
The DC0122A is a 128M bits self terminated interface  
DDR SDRAM organized as 1,048,576 words × 32 bits  
× 4 banks. Read and write operations are performed at  
the cross points of the CK and the /CK. This high-  
speed data transfer is realized by the 4 bits prefetch  
pipelined-architecture. Data strobe (DQS) both for read  
and write are available for high speed and reliable data  
bus design.  
/xxx indicates active low signal.  
144-ball FBGA  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
B
C
D
E
F
DQS0 DM0 VSSQ DQ3  
DQ2  
DQ0 DQ31 DQ29 DQ28 VSSQ DM3 DQS3  
DQ4 VDDQ NC VDDQ DQ1 VDDQ VDDQ DQ30 VDDQ NC VDDQ DQ27  
DQ6  
DQ5 VSSQ VSSQ VSSQ VDD VDD VSSQ VSSQ VSSQ DQ26 DQ25  
DQ7 VDDQ VDD  
VSS VSSQ VSS  
VSS VSSQ VSS  
VDD VDDQ DQ24  
VSSQ VDDQ DQ15 DQ14  
VSSQ VDDQ DQ13 DQ12  
It is packaged in standard 144-ball FBGA.  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
DQ17 DQ16 VDDQ VSSQ  
DQ19 DQ18 VDDQ VSSQ  
Thermal Thermal Thermal Thermal  
G
H
J
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
Features  
Thermal Thermal Thermal Thermal  
VSS VSS VSS VSS  
DQS2 DM2  
NC VSSQ  
VSSQ NC  
DM1 DQS1  
Thermal Thermal Thermal Thermal  
• 2.5V power supply: VDDQ = 1.8V−0.09V/+0.18V  
VDD = 2.5V −0.125V/+0.25V  
• Clock frequency: 450MHz/400MHz/350MHz (max.)  
• VSSQ pull down self terminate inputs and outputs  
VSS VSS VSS VSS  
DQ21 DQ20 VDDQ VSSQ  
VSSQ VDDQ DQ11 DQ10  
Thermal Thermal Thermal Thermal  
K
L
DQ22 DQ23 VDDQ VSSQ VSS  
VSS  
VSS  
VSS VSSQ VDDQ DQ9  
DQ8  
NC  
NC  
RFU  
VSS  
BA1  
A0  
A10  
A2  
VDD  
A11  
A3  
VDD  
A9  
VSS  
NC  
A7  
VDD  
CK  
DiM  
/CK  
/CAS /WE VDD  
M
N
/RAS  
/CS  
NC  
NC  
NC  
A5  
A6  
NC  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
BA0  
A1  
A4  
A8  
AP  
CKE VREF  
DQS  
(Top view)  
• 4 banks can operate simultaneously and  
independently  
A0 to A11  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ31  
DQS0 to DQS3  
/CS  
Address input  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
• Burst read/write operation  
• Burst length (BL): 4  
• Sequential burst sequence  
• Start addressing capability  
Read/write: Fixed 0  
• Fixed /CAS latency (CL): 6  
• 4096 refresh cycles: 7.8µs (4096 rows/32ms)  
• 2 variations of refresh  
Auto refresh  
/RAS  
/CAS  
/WE  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
DM0 to DM3  
DiM  
CK  
Input mask/read data inversion flag  
Write data inversion flag  
Clock input  
/CK  
CKE  
Differential clock input  
Clock enable  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
Self refresh  
VSS Thermal  
Document No. E0288E30 (Ver. 3.0)  
Date Published March 2003 (K) Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2002-2003  
1234567...46

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