Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS10R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj = 25 °C
VCES
600
V
IC,nom.
IC
10
17
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
TC = 80 °C
TC =
25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, TC =
ICRM
80 °C
20
76
A
W
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
+20
10
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
20
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min
I²t
12
A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
2,5
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,55
-
V
GE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
-
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC=
VGE= -15V...+15V
0,4 mA
4,5
5,5
0,05
0,45
0,04
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE
=
V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
ICES
600
-
5
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
-
400
prepared by: P. Kanschat
approved: M. Hierholzer
date of publication:
revision: 2.0
2003-01-24
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