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DB205

更新时间: 2024-01-07 05:54:24
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鲁光 - LGE /
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2页 152K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

DB205 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.18
最小击穿电压:600 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):265认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

DB205 数据手册

 浏览型号DB205的Datasheet PDF文件第1页 
DB201-DB207  
Silicon Bridge Rectifiers  
Ratings AND Charactieristic Curves  
FIG.1 -- PEAK FORWARD SURGE CURRENT  
FIG.2 -- FORWARD DERATING CURVE  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
60  
48  
8.3ms Single Half Sine Wave  
36  
24  
12  
TJ=25  
60Hz RESISTIVE OR  
INDUCTIVE LOAD  
0
0
25  
50  
75  
100  
125 150 160  
1
10  
100  
NUMBER OF CYCLES AT60HZ  
AMBIENT TEMPERATURE,  
FIG.3 -- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC  
FIG.4 -- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC  
10  
10  
1.0  
1.0  
0.1  
TJ=25  
0.1  
.01  
T =125  
J
Pulse Width  
=300uS  
0.1  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
0
20 40  
60 80 100 120 140  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, %  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  

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