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DB155S PDF预览

DB155S

更新时间： 2024-11-23 23:14:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER

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DB155S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DB155S 数据手册

 浏览型号DB155S的Datasheet PDF文件第2页 
DB151S  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
DB157S  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.5 Ampere  
FEATURES  
* Surge overload rating - 60 amperes peak  
* Ideal for printed circuit board  
* Reliable low cost construction utilizing molded  
* Glass passivated device  
* Polarity symbols molded on body  
* Mounting position: Any  
DB-S  
* Weight: 1.0 gram  
(
)
)
.310 7.9  
MECHANICAL DATA  
(
.290 7.4  
(
)
)
.255 6.5  
*
Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
.245 6.2  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
.009  
(
)
)
)
.013 .330  
(
)
9.4  
(
.003 .076  
(
)
)
.042 1.1  
(
.410 10.4  
(
.038 1.0  
(
)
.360 9.4  
(
)
)
.060 1.524  
(
.040 1.016  
(8.51)  
(8.13)  
.335  
.320  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
)
.135 3.4  
(
.115 2.9  
(
)
)
.205 5.2  
(
.195 5.0  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S UNITS  
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
400  
1.5  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Output Current at T  
A
=
40oC  
I
O
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
60  
Amps  
R θ J A  
R θ J L  
40  
15  
Typical thermal resistance  
0C/ W  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
TJ,TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
DB151S DB152S DB153S DB154S DB155S DB156S DB157S UNITS  
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge  
Element at 1.0A DC  
V
F
1.1  
Volts  
uAmps  
mAmps  
2002-1  
Maximum Reverse Current at rated  
DC Blocking Voltage per element  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
5.0  
0.5  
I
R
NOTE: Suffix “-s” Surface Mount for Dip Bridge.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DB155S-C RECTRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DB-S
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