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DB107S

更新时间： 2024-01-30 12:10:48
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页数 文件大小 规格书
2页 146K
描述
1.0 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers

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DB107S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDIP-W4
元件数量：4相数：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DB107S 数据手册

 浏览型号DB107S的Datasheet PDF文件第2页 
DB101S ~ DB107S  
VOLTAGE 50 V ~ 1000 V  
1.0 Amp Surface Mount Bridge Rectifiers  
Elektronische Bauelemente  
RoHS compliant product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
DB-1S  
FEATURES  
Low forward voltage drop, high current capability  
Rating to 1000V PRV  
Ideal for printed circuit board  
Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique  
results in inexpensive products  
Lead tin Pb / Sn copper  
-
+
~
A
B
D
E
J
F
~
The plastic material has UL flammability classification 94V-0  
C
L
M
MECHANICAL DATA  
Polarity: As marked on Body  
Weight:0.02 ounces, 0.38 grams  
Mounting position: Any  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
8.80  
10.3  
8.50  
3.40  
6.50  
Min.  
Max.  
5.20  
1.20  
0.35  
1.60  
A
B
C
D
E
8.20  
10.0  
7.80  
3.15  
6.20  
F
J
L
5.00  
0.95  
0.20  
1.40  
M
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.  
DB  
101S  
50  
35  
50  
DB  
102S  
100  
70  
DB  
DB  
DB  
DB  
DB  
SYMBOL  
PARAMETERS  
UNIT  
103S  
200  
140  
200  
104S  
400  
280  
400  
105S  
600  
420  
600  
106S  
800  
560  
800  
107S  
1000  
700  
Peak Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
A
A
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
@TA=40℃  
I(AV)  
1.0  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half  
Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
30  
Maximum Forward Voltage at 1.5 A DC  
VF  
IR  
1.1  
10  
V
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25℃  
uA  
@TJ=125℃  
500  
10.4  
25  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
I2t  
CJ  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
RθJA  
40  
℃/W  
℃
Operating and Storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 ~ 150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC  
2. Thermal resistance from junction to ambient mounted on P.C.B. with 0.5*0.5"(13*13mm) copper pads.  
01-Sep-2010 Rev. C  
Page 1 of 2  
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