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DAN222_06

更新时间： 2024-01-09 01:38:59

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安森美 - ONSEMI		二极管开关
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1页	56K
描述
Common Cathode Silicon Dual Switching Diode

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DAN222_06 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-523 Plastic-Encapsulated Diode

SOT-523

DAN222

SWITCHING DIODE

FEATURES:

Power dissipation

P_D:

150

mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_F:

100 mA

Collector-base voltage

V_R: 80

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

CIRCUIT:

MARKING:

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test

conditions

I_R= 100µA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=70V

0.1

µA

Forward voltage

V_F

I_F=100mA

1.2

3.5

Diode capacitance

C_D

t_rr

V_R=6V, f=1MHz

V_R=6V, I_F=5mA

Reverse recovery time

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